IT之家 10 月 15 日消息,据韩媒 The Elec 今天报道,SK 海力士现已公布 3D FeNAND 实现模拟存内计算(Analog Compute-in-Memory,A-CiM)的研究成果,相关研究已发表于 IEEE 论文。 据介绍,A-CiM 可利用模拟信号直接在存储器执行乘积累加运算(IT之家注:MAC), 减少数据搬运 、 提升处理速度和能效 。 3D FeNAND 则利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流。对比之下,传统 3D NAND 采用电荷俘获氮化物(CTN)结构,将电子捕获在氮化物层中。铁电材料的特点是,即使外部电场消失,其内部极化状态仍能保持。

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SK 海力士表示,FeNAND 可在单个存储单元内产生多种电流状态, 适合 AI 计算所需的权重数据 。

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