IT之家 10 月 12 日消息,韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称,三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品,除此前已公布的 zNAND-O 外还有 zNAND-T 与 zNAND-I。 报道指出,zNAND-T 的 "T" 代表 "Throughput"(吞吐量)。其类似于闪迪和 SK 海力士提出的 HBF 概念, 为数据中心 AI 半导体的需求优化读写带宽表现 ,采用 TSV 堆叠 NAND Die。 而 zNAND-I 的 "I" 则是象征随机性能的 IOPS 的简写, 强调少量数据频繁读写操作中的表现 ,KV Cache 卸载就属于此类场景。

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▲ zNAND-O 结构示意 三种 zNAND 各有专长,针对不同的应用负载,代表着 NAND 闪存正从通用型产品转向定制化。 相关阅读: 《 固态硬盘未来可扩展至 PB 容量:SK 海力士介绍 AIN Family 产品组合 》

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